Tipo N-Gokin Solar Co., Ltd.

Produto

Wafers Monocristalino - Tipo N - Tipo P Módulos de Alta Eficiência - Série GOKIN BC - Série TOPCon

Soluções

Sistemas Centralizados Comerciais e Industriais Residenciais Integralização Manutenção Inteligente FV + Gestão Verde

Suporte e Serviços

Centro de Downloads FAQ sobre soluções Feedback de Problemas Consulta de Módulos

Sustentabilidade

Estratégia Práticas Relatório

Centro de Mídia

Notícias da Empresa Atividades de Mercado Reportagens Especiais Anúncios da Gokin

Contate-nos

Contate-nos Cooperação com Fornecedores Integridade na Gokin

Sobre a Gokin

Introdução à Gokin A cultura da Gokin Histórico Expansão Global Junte-se a Nós

Casa > Produto > Wafers Monocristalino

Tipo N

0.6-1.6 <Ω·cm>

Resistividade

≤12 <ppma>

Teor de oxigênio

≤1 <ppma>

Teor de carbono

≥800 <µs>

Tempo de vida do portador minoritário

0.6-1.6 <Ω·cm>

Resistividade
≤12 <ppma>

Teor de oxigênio
≤1 <ppma>

Teor de carbono
≥800 <µs>

Tempo de vida do portador minoritário

Propriedades do material

Item

Especificações

Método de teste
Método de crescimento

Método Czochralski

--
Cristalinidade

Monocristalino

--
Tipo de condutividade

Tipo N

Testador PN
Tamanho

M10：182.2*182.2*φ247mm
G12：210*210*φ295mm
G12-R：182.3*210*φ272mm

Separador de wafer de silício
Espessura

M10：90-160µm
G12：90-160µm
G12-R：90-160µm

Separador de wafer de silício

Item	Especificações	Método de teste
Método de crescimento	Método Czochralski	--
Cristalinidade	Monocristalino	--
Tipo de condutividade	Tipo N	Testador PN
Tamanho	M10：182.2182.2φ247mm G12：210210φ295mm G12-R：182.3210φ272mm	Separador de wafer de silício
Espessura	M10：90-160µm G12：90-160µm G12-R：90-160µm	Separador de wafer de silício

Propriedades elétricas

Item

Especificações

Método de teste
Resistividade

0.6-1.6<Ω·cm>

Separador de wafer de silício
Tempo de vida do portador minoritário

≥800<µs>

Tempo de vida da portadora minoritária do testador BCT-400
Teor de oxigênio

≤12<ppma>

Espectrómetro de infravermelhos com transformada de Fourier FTIR (ASTM F121-83)
Teor de carbono

≤1<ppma>

Espectrómetro de infravermelhos com transformada de Fourier FTIR (ASTM F123-91)

Item	Especificações	Método de teste
Resistividade	0.6-1.6<Ω·cm>	Separador de wafer de silício
Tempo de vida do portador minoritário	≥800<µs>	Tempo de vida da portadora minoritária do testador BCT-400
Teor de oxigênio	≤12	Espectrómetro de infravermelhos com transformada de Fourier FTIR (ASTM F121-83)
Teor de carbono	≤1	Espectrómetro de infravermelhos com transformada de Fourier FTIR (ASTM F123-91)

Fale Conosco

Gokin fornece serviços de consultoria profissionais, informações sobre produtos de bolacha de silício tipo N, modelos de negócios da indústria fotovoltaica e capacidades completas de operação e manutenção do ciclo de vida.

Fale Conosco

Telefone

+86 18121368215

Cooperação empresarial

+ Wafers de Silício Monocristalino

+ Módulos de alta Eficiência

+ Soluções

+ Outras colaborações

caixa de correio

davis.gao@gokinsolar.com